Optische Spektroskopie an ultraviolett-emittierenden GaN / AlGaN-Heterostrukturen
Inhaltsangabe:Einleitung: Die binären Halbleitermaterialien Aluminiumnitrid (AlN), Galliumnitrid (GaN) und Indiumnitrid (InN) bilden die Basis des Materialsystems der Gruppe III-Nitride, das ein…