Plasmaunterstützte Molekularstrahlepitaxie von AlGaN/GaN-Heterostrukturen
Ziel dieser Arbeit ist die Herstellung hochqualitativer AlGaN/GaN-Heterostrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) für die Anwendung in Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs).…