Hydrid-Gasphasen-Epitaxie zur Herstellung von GaN-Substraten geringer Krümmung
In der hier vorliegenden Arbeit wurde das Wachstum von dicken GaN-Schichten mittels der Hydrid-Gasphasen-Epitaxie zur Herstellung von GaN-Substraten untersucht. Neben der Entwicklung eines…