Wachstum von nicht- und semipolaren InAIGaN-Heterostrukturen für hocheffiziente Lichtemitter
Optoelektronische Bauelemente auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) und seinen Legierungen InGaN und AlGaN emittieren Licht vom sichtbaren bis in den ultravioletten Spektralbereich. Bei fast allen…