Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Trench-MOS-Leistungstransistoren
Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Als das Ziel dieser Diplomarbeit wurde die Untersuchungen der elektrischen Eigenschaften der 40V-MOS-Leitungstransistoren festgelegt, die auf der Basis einer 0,6 µm-…