| Title page | 5 |
| Inhalt | 7 |
| Vorwort | 17 |
| 1 Allgemeine einführung in die mikrostrukturtechnik | 19 |
| 1.1 Was ist mikrostrukturtechnik? | 19 |
| 1.2 Von der mikrostrukturtechnik zur mikrosystemtechnik | 27 |
| 2 Parallelen zur mikroelektronik | 33 |
| 2.1 Herstellung von einkristallscheiben | 33 |
| 2.1.1 Herstellung von silizium-einkristallen | 35 |
| 2.1.1.1 Tiegelziehverfahren (czochralski-verfahren) | 37 |
| 2.1.1.2 Zonenziehverfahren (float-zone-verfahren) | 39 |
| 2.1.1.3 Segregation | 41 |
| 2.1.1.4 Weiterverarbeitung der ingots | 43 |
| 2.1.2 Herstellung von gaas-einkristallen | 46 |
| 2.1.2.1 Bridgmanund gradient-freeze-verfahren | 46 |
| 2.1.2.2 Lec-verfahren (liquid encapsulated czochralski) | 48 |
| 2.2 Technologische grundprozesse | 49 |
| 2.2.1 Herstellung eines integrierten schaltkreises | 51 |
| 2.2.1.1 Reinigung | 51 |
| 2.2.1.2 Oxidation | 52 |
| 2.2.1.3 Photolithographie | 52 |
| 2.2.1.4 Ionenimplantation und diffusion | 53 |
| 2.2.1.5 Ätzen | 53 |
| 2.2.1.6 Beschichtung | 54 |
| 2.3 Weiterverarbeitung der integrierten schaltungen | 54 |
| 2.3.1 Anforderungen an die aufbauund verbindungstechnik | 55 |
| 2.3.2 Hybridtechniken | 56 |
| 2.3.2.1 Dickschichttechnik | 56 |
| 2.3.2.2 Bestücken und löten der schaltung | 57 |
| 2.3.2.3 Montage und kontaktierung ungehäuster halbleiterbauelemente | 58 |
| 2.4 Reinraumtechnik | 59 |
| 2.4.1 Partikelmessung im reinraum | 63 |
| 2.5 Punktfehler und ausbeute bei halbleiterbauelementen | 63 |
| 3 Physikalische und chemische grundlagen der mikrotechnik | 67 |
| 3.1 Kristalle und kristallographie | 67 |
| 3.1.1 Gitter und gittertypen | 68 |
| 3.1.2 Stereographische projektion | 70 |
| 3.1.3 Silizium-einkristall | 74 |
| 3.1.4 Reziprokes gitter und kristallstrukturanalyse | 76 |
| 3.2 Methoden zur bestimmung der kristallstruktur | 83 |
| 3.2.1 Röntgenstrahlbeugung | 83 |
| 3.2.2 Elektronenstrahlbeugung | 85 |
| 3.3 Grundlagen der galvanischen abscheidung | 87 |
| 3.3.1 Phasengrenze elektrode-elektrolyt | 90 |
| 3.3.1.1 Elektrisches und elektrochemisches potential | 90 |
| 3.3.2 Polarisation und überspannung | 93 |
| 3.3.3 Mechanismen der kathodischen metallabscheidung | 95 |
| 3.3.3.1 Migration | 97 |
| 3.3.3.2 Diffusion | 98 |
| 3.3.3.3 Konvektion | 98 |
| 3.3.3.4 Stofftransportvorgänge während der mikrogalvanoformung | 101 |
| 3.4 Grundlagen der vakuumtechnik | 102 |
| 3.4.1 Mittlere freie weglänge | 102 |
| 3.4.2 Wiederbedeckungszeit | 104 |
| 3.4.3 Geschwindigkeit von atomen und molekülen | 105 |
| 3.4.4 Gasdynamik | 107 |
| 3.4.5 Die einteilung des technischen vakuums | 107 |
| 3.5 Vakuumerzeugung | 109 |
| 3.5.1 Pumpen für grobund feinvakuum | 109 |
| 3.5.1.1 Verdränger-vakuumpumpen | 109 |
| 3.5.2 Hochvakuumund ultrahochvakuumpumpen | 111 |
| 3.5.2.1 Treibmittelvakuumpumpen | 113 |
| 3.5.2.2 Gas bindende vakuumpumpen (sorptionspumpen) | 114 |
| 3.6 Vakuummessung | 117 |
| 3.6.1 Druckmessdose | 117 |
| 3.6.2 Wärmeleitungsvakuummeter | 117 |
| 3.6.3 Reibungsvakuummeter | 118 |
| 3.6.4 Ionisationsvakuummeter mit unselbständiger entladung (glühkathode) | 118 |
| 3.6.5 Ionisationsvakuummeter mit selbständiger entladung (penning-prinzip) | 119 |
| 3.6.6 Leckage und lecksuche | 120 |
| 3.7 Eigenschaften von dünnschichten | 121 |
| 3.7.1 Strukturzonenmodelle | 121 |
| 3.7.2 Haftfestigkeit der schicht | 124 |
| 4 Materialien der mikrosystemtechnik | 127 |
| 4.1 Materialeigenschaften | 129 |
| 4.1.1 Thermische eigenschaften | 130 |
| 4.1.1.1 Wärmeleitfähigkeit | 131 |
| 4.1.1.2 Spezifische wärme | 131 |
| 4.1.1.3 Latente wärme | 132 |
| 4.1.1.4 Wärmeausdehnungskoeffizient | 132 |
| 4.1.2 Elektrische eigenschaften | 133 |
| 4.1.2.1 Elektrische leitfähigkeit | 133 |
| 4.1.2.2 Dielektrische konstante | 134 |
| 4.1.2.3 Thermoelektrizität | 134 |
| 4.1.2.4 Piezoresistivität | 135 |
| 4.1.3 Mechanische eigenschaften | 137 |
| 4.2 Kunststoffe | 138 |
| 4.2.1 Ordnung der makromoleküle | 139 |
| 4.2.2 Polymere für die lithographie | 140 |
| 4.2.3 Flüssigkristalle | 142 |
| 4.2.4 Flüssigkristalline polymere | 143 |
| 4.2.5 Gele | 145 |
| 4.2.6 Elektrorheologische flüssigkeiten | 147 |
| 4.3 Halbleiter | 149 |
| 4.4 Keramiken | 152 |
| 4.4.1 Keramik als substrat | 152 |
| 4.4.2 Keramik als material für aktoren | 153 |
| 4.4.3 Keramik als material für gassensoren | 153 |
| 4.5 Metalle | 154 |
| 4.5.1 Magnetostriktive metalle | 155 |
| 4.5.2 Anwendungen der magnetostriktion | 157 |
| 4.5.3 Formgedächtnis-legierungen | 158 |
| 4.5.3.1 Einwegeffekt | 159 |
| 4.5.3.2 Zweiwegeffekt | 160 |
| 4.5.3.3 Unterdrücktes formgedächtnis | 161 |
| 4.5.3.4 Einsatz als aktoren | 162 |
| 4.5.3.5 Herstellung | 162 |
| 4.5.3.6 Eigenschaften der formgedächtnis-legierungen | 163 |
| 5 Basistechnologien der mikrotechnik | 165 |
| 5.1 Schichtabscheidung | 165 |
| 5.1.1 Physikalische beschichtungstechniken | 165 |
| 5.1.1.1 Aufdampfen | 165 |
| 5.1.1.2 Sputtern (kathodenzerstäuben) | 169 |
| 5.1.1.3 Ionenplattieren | 171 |
| 5.1.2 Chemische beschichtungstechniken | 172 |
| 5.1.2.1 Cvd-verfahren | 172 |
| 5.1.2.2 Epitaxie | 178 |
| 5.1.2.3 GaAs-epitaxie | 181 |
| 5.1.2.4 Plasmapolymerisation | 181 |
| 5.2 Schichtmodifikation | 182 |
| 5.2.1 Thermische oxidation | 182 |
| 5.2.2 Diffusion | 183 |
| 5.2.3 Ionenimplantation | 185 |
| 5.3 Schichtabtragung (ätzen) | 186 |
| 5.3.1 Physikalische und chemische trockenätzverfahren | 188 |
| 5.3.1.1 Plasmaquellen | 190 |
| 5.3.1.2 Charakteristika der rein physikalischen ätzprozesse | 191 |
| 5.3.1.3 Kombination chemischer und physikalischer ätzprozesse | 196 |
| 5.3.1.4 Charakteristika des reaktiven ionenund ionenstrahlätzens | 198 |
| 5.3.1.5 Das rein chemische ätzen | 199 |
| 5.4 Analyse von dünnschichten und oberflächen | 202 |
| 5.4.1 Elektronenstrahl-mikroanalyse (electron probe microanalysis, epm) | 203 |
| 5.4.2 Auger-elektronenspektroskopie (AES) | 204 |
| 5.4.3 Photoelektronenspektroskopie (electron spectroscopy for chemical analysis, esca) | 205 |
| 5.4.4 Sekundärionen-massenspektrometrie (SIMS) | 206 |
| 5.4.5 Sekundär-neutralteilchen-massenspektrometrie (SNMS) | 206 |
| 5.4.6 Ionen-streuspektroskopie (ISS) | 207 |
| 5.4.7 Rutherford-rückstreuungsspektroskopie (rutherford backscattering spectroscopy, RBS) | 207 |
| 5.4.8 Rastertunnelmikroskop (atomic force microscope, AFM) | 208 |
| 6 Lithographie | 209 |
| 6.1 Überblick und historie | 209 |
| 6.2 Resists | 214 |
| 6.3 Verfahren der lithographie | 216 |
| 6.3.1 Computer aided design (CAD) | 217 |
| 6.3.1.1 Cad-entwurf | 218 |
| 6.3.1.2 Justiermarken und teststrukturen | 220 |
| 6.3.1.3 Organisation des entwurfs (hierarchie, layers) | 221 |
| 6.4 Elektronenstrahllithographie | 223 |
| 6.4.1 Gauß’scher strahl | 224 |
| 6.4.2 Geformter strahl | 229 |
| 6.4.3 Postprozessor | 231 |
| 6.5 Proximity-effekt | 232 |
| 6.6 Optische lithographie | 234 |
| 6.6.1 Masken | 235 |
| 6.6.2 Schattenprojektion | 236 |
| 6.6.3 Abbildende projektion | 239 |
| 6.6.3.1 Ganzscheiben-belichtung | 240 |
| 6.6.3.2 Moderne lithographiemaschinen | 241 |
| 6.7 Weiterentwicklungen | 242 |
| 6.7.1 Phasenmasken | 242 |
| 6.7.2 Spezielle resisttechnologien | 243 |
| 6.7.3 Optische lithographie für die mikrostrukturtechnik | 244 |
| 6.8 Ionenstrahllithographie | 249 |
| 6.9 Röntgenlithographie | 250 |
| 6.9.1 Masken für die röntgenlithographie | 251 |
| 6.9.2 Röntgenlichtquellen | 252 |
| 6.9.3 Synchrotronstrahlung | 253 |
| 6.9.4 Einsatz der röntgenlithographie | 258 |
| 7 Silizium-mikromechanik | 259 |
| 7.1 Siliziumtechnologie | 260 |
| 7.1.1 IC-prozesse und -substrate | 261 |
| 7.1.2 Foundry-technologien | 265 |
| 7.2 Silizium-bulk-mikromechanik | 266 |
| 7.2.1 Einleitung | 266 |
| 7.2.1.1 Ätzrate und anisotropie | 268 |
| 7.2.1.2 Selektivität | 269 |
| 7.2.1.3 Prozesskompatibilität | 269 |
| 7.2.1.4 Einfachheit der verwendung und sicherheit | 270 |
| 7.2.1.5 Kosten | 271 |
| 7.2.2 Nasschemisches ätzen | 271 |
| 7.2.2.1 Hna-ätzlösungen | 271 |
| 7.2.2.2 Alkalihydroxid-ätzlösungen | 273 |
| 7.2.2.3 Ammoniumhydroxid-ätzlösungen | 277 |
| 7.2.2.4 Ethylendiamin-brenzkatechin-ätzlösungen | 278 |
| 7.2.3 Grundlegende ätzformen | 279 |
| 7.2.3.1 Ätzgruben und -gräben | 280 |
| 7.2.3.2 Membranen | 282 |
| 7.2.3.3 Mesas und spitzen | 282 |
| 7.2.3. 4 Cantilever | 283 |
| 7.2.3. 5 Brücken | 285 |
| 7.2.4 Ätzkontrolle | 286 |
| 7.2.4.1 Ätzstoppmechanismen | 286 |
| 7.2.4.2 Elektrochemisches siliziumätzen | 289 |
| 7.2.4.3 Elektrochemische siliziumporosifizierung | 291 |
| 7.2.5 Charakterisierung von anisotropen nassätzmitteln | 292 |
| 7.2.6 Trockenätzen | 294 |
| 7.2.6.1 Xef2-ätzen | 294 |
| 7.6.2.2 Fertigung von mikrostrukturen mit hohem aspektverhältnis | 297 |
| 7.2.6.3 Anwendungen von trockenem siliziumätzen | 299 |
| 7.3 Oberflächenmikromechanik | 303 |
| 7.3.1 Polysilizium-mikromechanik | 305 |
| 7.3.2 Opferaluminium-mikromechanik | 308 |
| 7.3.3 Opferpolymer-mikromechanik | 310 |
| 7.3.4 Sticking | 311 |
| 7.4 Mikrowandler und -systeme in der siliziumtechnologie | 312 |
| 7.4.1 Mechanische bauteile und systeme | 313 |
| 7.4.1.1 Drucksensoren | 314 |
| 7.4.1.2 Beschleunigungssensoren | 316 |
| 7.4.1.3 Drehratensensoren | 318 |
| 7.4.1.4 Stresssensoren | 320 |
| 7.4.2 Thermische mikrobauteile und -systeme | 322 |
| 7.4.2.1 Temperaturmessung | 322 |
| 7.4.2.2 Durchflusssensoren | 326 |
| 7.4.2.3 Vakuumund drucksensoren | 329 |
| 7.4.3 Komponenten und systeme für strahlungssignale | 331 |
| 7.4.3.1 Ungekühlte infrarotdetektoren | 331 |
| 7.4.3.2 Thermische szenensimulatoren | 334 |
| 7.4.3.3 Lichtschalter | 334 |
| 7.4.4 Magnetische bauteile und systeme | 337 |
| 7.4.5 Chemische mikrosensoren | 339 |
| 7.4.5.1 Mikrofluidische komponenten und systeme | 342 |
| 7.4.6 Mikromechanische bauteile für die signalverarbeitung | 344 |
| 7.5 Zusammenfassung und ausblick | 346 |
| 8 LIGA-verfahren | 347 |
| 8.1 Überblick | 347 |
| 8.2 Maskenherstellung | 349 |
| 8.2.1 Prinzipieller aufbau einer maske | 349 |
| 8.2.1.1 Absorber | 349 |
| 8.2.1.2 Trägerfolie | 350 |
| 8.2.2 Herstellung der trägerfolien | 352 |
| 8.2.3 Strukturierung des resists für röntgenzwischenmasken | 353 |
| 8.2.3.1 Optische lithographie | 353 |
| 8.2.3.2 Direkte elektronenstrahllithographie | 354 |
| 8.2.3.3 Reaktives ionenätzen | 355 |
| 8.2.3.4 Vergleich der strukturierungsmethoden zur herstellung von zwischenmasken | 355 |
| 8.2.4 Goldgalvanik für röntgenmasken | 355 |
| 8.2.5 Herstellung von arbeitsmasken | 357 |
| 8.2.6 Justieröffnungen in röntgenarbeitsmasken | 358 |
| 8.3 Röntgentiefenlithographie | 359 |
| 8.3.1 Herstellung von dicken resistschichten | 359 |
| 8.3.1.1 Strahleninduzierte reaktionen und entwicklung des resists | 361 |
| 8.3.2 Anforderungen an die absorbierte strahlendosis | 365 |
| 8.3.3 Einflüsse auf die strukturqualität | 368 |
| 8.3.3.1 Fresnel-beugung, photoelektronen | 369 |
| 8.3.3.2 Divergenz der strahlung | 371 |
| 8.3.3.3 Neigung der absorberwände zum strahl | 372 |
| 8.3.3.4 Fluoreszenzstrahlung aus der maskenmembran | 372 |
| 8.3.3.5 Erzeugung von sekundärelektronen aus der haftund galvanikstartschicht | 372 |
| 8.3.3.6 Quellen des resists | 374 |
| 8.4 Galvanische abscheidung | 374 |
| 8.4.1 Galvanische abscheidung von nickel für die mikrostrukturherstellung | 375 |
| 8.4.2 Formeinsatzherstellung für die mikroabformung | 379 |
| 8.4.3 Galvanische abscheidung weiterer metalle und legierungen | 380 |
| 8.5 Kunststoffabformung im liga-verfahren | 382 |
| 8.5.1 Herstellung von mikrostrukturen im reaktionsgießverfahren | 383 |
| 8.5.2 Herstellung von mikrostrukturen im spritzgießverfahren | 386 |
| 8.5.3 Herstellung von mikrostrukturen im heißprägeverfahren | 392 |
| 8.5.4 llung von metallischen mikrostrukturen aus abgeformten kunststoffstrukturen (zweite galvanoformung) | 395 |
| 8.5.4.1 Zweite galvanoformung geprägter mikrostrukturen | 395 |
| 8.5.4.2 Zweite galvanoformung mit hilfe einer metallischen angussplatte | 395 |
| 8.5.4.3 Zweite galvanoformung mit hilfe elektrisch leitfähiger kunststoffe | 397 |
| 8.5.4.4 Zweite galvanoformung durch beschichtung der kunststoffstrukturen | 399 |
| 8.6 Variationen und ergänzende schritte des liga-verfahrens | 400 |
| 8.6.1 Opferschichttechnik | 400 |
| 8.6.2 3d-strukturierung | 403 |
| 8.6.2.1 Gestufte strukturen | 403 |
| 8.6.2.2 Geneigte strukturen | 405 |
| 8.6.2.3 Konische strukturen und strukturen mit sphärischer oberfläche | 406 |
| 8.6.2.4 Herstellung von strukturen mit beweglicher maske | 407 |
| 8.6.3 Herstellung licht leitender strukturen durch abformung | 409 |
| 8.7 Protonenlithographie (DLP) – ein weiteres strukturierungsverfahren zur herstellung von mikrostrukturen mit großem aspektverhältn | 412 |
| 8.8 Anwendungsbeispiele | 417 |
| 8.8.1 Starre metallische mikrostrukturen | 418 |
| 8.8.1.1 Filter für das ferne infrarot | 418 |
| 8.8.1.2 Mikrospulen | 419 |
| 8.8.1.3 Mikrozahnräder, mikrogetriebe | 421 |
| 8.8.2 Bewegliche mikrostrukturen, mikrosensoren, mikroaktoren | 421 |
| 8.8.2.1 Beschleunigungssensoren | 422 |
| 8.8.2.2 Elektrostatischer linearantrieb | 424 |
| 8.8.2.3 Elektromagnetischer linearaktor | 425 |
| 8.8.2.4 Mikroturbine, strömungssensoren, mikrofräser | 430 |
| 8.8.2.5 Mikromotoren | 431 |
| 8.8.3 Fluidische mikrostrukturen | 434 |
| 8.8.3.1 Mikrostrukturierte fluidplatten | 434 |
| 8.8.3.2 Mikropumpen nach dem liga-verfahren | 434 |
| 8.8.3.3. Mikrofluidische schalter | 434 |
| 8.8.3.4 Mikrofluidische linearaktoren | 436 |
| 8.8.4 Liga-strukturen für optische anwendungen | 437 |
| 8.8.4.1 Einfache optische elemente – linsen, prismen | 438 |
| 8.8.4.2 Mikrooptische bank | 440 |
| 8.8.4.3 Mikrooptische bänke mit aktoren | 444 |
| 8.8.4.4 Funktionsmodule mit optisch aktiven elementen – modulares aufbaukonzept | 449 |
| 9 Alternative verfahren der mikrostrukturierung | 455 |
| 9.1 Ultrapräzisionsmikrobearbeitung | 456 |
| 9.1.1 Anwendungsbeispiele | 461 |
| 9.1.1.1 Mikrowärmeüberträger | 461 |
| 9.1.1.2 Mikroreaktoren | 463 |
| 9.1.1.3 Retrospiegel | 464 |
| 9.1.1.4 Mikropumpen | 465 |
| 9.2 Mikrofunkenerosion | 466 |
| 9.2.1 Physikalisches prinzip | 466 |
| 9.2.1.1 Aufbauphase | 468 |
| 9.2.1.2 Entladephase | 469 |
| 9.2.1.3 Abbauphase | 469 |
| 9.2.2 Funkenerosive bearbeitung keramischer werkstoffe | 470 |
| 9.2.2.1 Siliziuminfiltriertes siliziumcarbid (SiSiC) | 471 |
| 9.2.2.2 Siliziumnitrid (Si3N4) | 472 |
| 9.2.2.3 Elektrisch nicht leitfähige keramiken | 472 |
| 9.2.3 Verfahrensvarianten | 473 |
| 9.2.3.1 Funkenerosives senken | 473 |
| 9.2.3.2 Funkenerosives schneiden | 474 |
| 9.2.4 Anwendungsbeispiele | 477 |
| 9.3 Präzisionselektrochemische mikrobearbeitung | 479 |
| 9.3.1 Vorgänge im bearbeitungsspalt | 480 |
| 9.3.1.1 Spannungsabfall | 480 |
| 9.3.1.2 Anodische metallauflösung | 482 |
| 9.3.2 Elektrolytlösungen | 484 |
| 9.3.2.1 Kenngrößen der elektrolytlösungen | 486 |
| 9.3.3 Untersuchungen verschiedener werkstoffe | 487 |
| 9.3.3.1 Eisen, eisenlegierungen und stähle | 487 |
| 9.3.3.2 Titan und titanlegierungen | 488 |
| 9.3.3.3 Hartmetalle | 488 |
| 9.3.4 ECM-senken mit oszillierender werkzeugelektrode | 489 |
| 9.3.4.1 Prozesskenngrößen | 489 |
| 9.3.4.2 Darstellung der vorgänge im arbeitsspalt | 490 |
| 9.3.4.3 Werkzeugelektrodenwerkstoffe | 491 |
| 9.3.5 Elektrochemische bearbeitungsverfahren in der mikrosystemtechnik | 492 |
| 9.3.5.1 Elektrochemisches mikrobohren | 492 |
| 9.3.5.2 Elektrochemisches mikrodrahtschneiden | 492 |
| 9.3.5.3 Elektrochemisches mikrofräsen | 493 |
| 9.3.5.4 Weitere anwendungsbeispiele des verfahrens in der mikrosystemtechnik | 494 |
| 9.4 Replikationstechniken | 496 |
| 9.4.1 Spritzgießen | 496 |
| 9.4.2 Heißprägen | 498 |
| 9.5 Laserunterstützte verfahren | 500 |
| 10 Aufbauund verbindungstechniken | 503 |
| 10.1 Hybridtechniken | 504 |
| 10.1.1 Substrate und pasten | 504 |
| 10.1.2 Schichterzeugung | 507 |
| 10.1.2.1 Trocknen und einbrennen der pasten | 508 |
| 10.1.3 Bestücken und löten der schaltung | 508 |
| 10.1.4 Montage und kontaktierung ungehäuster halbleiterbauelemente | 511 |
| 10.2 Drahtbondtechniken | 511 |
| 10.2.1 Thermokompressionsdrahtbonden (warmpressschweißen) | 512 |
| 10.2.2 Ultraschalldrahtbonden (ultraschallschweißen) | 513 |
| 10.2.3 Thermosonicdrahtbonden (ultraschallwarmschweißen) | 513 |
| 10.2.4 Ball-wedge-bonden (kugel-keil-schweißen) | 514 |
| 10.2.5 Wedge-wedge-bonden (keil-keil-schweißen) | 515 |
| 10.2.6 Vor- und nachteile der einzelnen drahtbondverfahren | 516 |
| 10.2.7 Prüfverfahren und alternativen | 517 |
| 10.3 Alternative kontaktierungstechniken | 518 |
| 10.3.1 Tab-technik | 518 |
| 10.3.2 Flip-chip-technik | 519 |
| 10.3.3 Entwicklung neuer kontaktierungssysteme | 521 |
| 10.4 Kleben | 521 |
| 10.4.1 Isotropes kleben | 522 |
| 10.4.2 Anisotropes kleben | 523 |
| 10.5 Anodisches bonden | 525 |
| 11 Systemtechnik | 529 |
| 11.1 Definition eines mikrosystems | 529 |
| 11.2 Sensoren | 531 |
| 11.3 Aktoren | 535 |
| 11.4 Signalverarbeitung | 537 |
| 11.4.1 Signalverarbeitung für sensoren in mikrosystemen | 537 |
| 11.4.2 Neuronale datenverarbeitung für sensorarrays | 541 |
| 11.5 Schnittstellen eines mikrosystems | 546 |
| 11.5.1 Ie-übertragung | 549 |
| 11.5.1.1 Elektrische mikro-/makroankopplungen | 549 |
| 11.5.1.2 Optische mikro-/makroankopplungen | 551 |
| 11.5.1.3 Lichtwellenleiter-ankopplungen | 551 |
| 11.5.1.4 Mechanische mikro-/makroankopplungen | 551 |
| 11.5.1.5 Ultraschallübertragung | 552 |
| 11.5.2 S-übertragung | 553 |
| 11.5.2.1 Fluidische mikro-/makroankopplungen | 553 |
| 11.5.2.2 Fluidische mikrokomponenten | 553 |
| 11.6 Entwurf, simulation und test von mikrosystemen | 555 |
| 11.7 Modulkonzept der mikrosystemtechnik | 558 |
| Literatur | 563 |
| Stichwortverzeichnis | 583 |
