Methoden zur Defektreduzierung in optoelektronischen Ga1-xInXN-Bauelementen - Epitaxie und Charakterisierung
Die Gruppe III-Nitride mit ihren Vertretern GaN, AlN und InN bilden heute die Basis für ein weites Feld von technischen Anwendungen im optoelektronischen Bereich. Die bedeu¬ten¬dsten…